上海自動(dòng)化儀表一廠SH2193G7EHYMEd防爆擴(kuò)散硅壓力變送器 SH2188變送器由壓阻式傳感器和信號轉(zhuǎn)換模塊組成，傳感器的核心部件為單晶硅片，當(dāng)單晶硅片受壓時(shí)，本身的電阻率要發(fā)生變化，通過半導(dǎo)體平面工藝在硅片上擴(kuò)散形成四個(gè)電阻，連接成電橋，在恒定的電流作用下，可輸出與壓力信號成正比的電壓信號，信號轉(zhuǎn)換模塊將傳感器的電壓信號經(jīng)過處理，轉(zhuǎn)換成4～20mA標(biāo)準(zhǔn)信號。
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上海自動(dòng)化儀表一廠SH2192G6EHYMEd防爆擴(kuò)散硅壓力變送器 SH2188變送器由壓阻式傳感器和信號轉(zhuǎn)換模塊組成，傳感器的核心部件為單晶硅片，當(dāng)單晶硅片受壓時(shí)，本身的電阻率要發(fā)生變化，通過半導(dǎo)體平面工藝在硅片上擴(kuò)散形成四個(gè)電阻，連接成電橋，在恒定的電流作用下，可輸出與壓力信號成正比的電壓信號，信號轉(zhuǎn)換模塊將傳感器的電壓信號經(jīng)過處理，轉(zhuǎn)換成4～20mA標(biāo)準(zhǔn)信號。
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上海自動(dòng)化儀表一廠SH2191G5EHYMEd防爆擴(kuò)散硅壓力變送器 SH2188變送器由壓阻式傳感器和信號轉(zhuǎn)換模塊組成，傳感器的核心部件為單晶硅片，當(dāng)單晶硅片受壓時(shí)，本身的電阻率要發(fā)生變化，通過半導(dǎo)體平面工藝在硅片上擴(kuò)散形成四個(gè)電阻，連接成電橋，在恒定的電流作用下，可輸出與壓力信號成正比的電壓信號，信號轉(zhuǎn)換模塊將傳感器的電壓信號經(jīng)過處理，轉(zhuǎn)換成4～20mA標(biāo)準(zhǔn)信號。
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上海自動(dòng)化儀表一廠SH2190G4EHYMEd防爆擴(kuò)散硅壓力變送器 SH2188變送器由壓阻式傳感器和信號轉(zhuǎn)換模塊組成，傳感器的核心部件為單晶硅片，當(dāng)單晶硅片受壓時(shí)，本身的電阻率要發(fā)生變化，通過半導(dǎo)體平面工藝在硅片上擴(kuò)散形成四個(gè)電阻，連接成電橋，在恒定的電流作用下，可輸出與壓力信號成正比的電壓信號，信號轉(zhuǎn)換模塊將傳感器的電壓信號經(jīng)過處理，轉(zhuǎn)換成4～20mA標(biāo)準(zhǔn)信號。
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上海自動(dòng)化儀表一廠SH2189G3EHYMEd防爆擴(kuò)散硅壓力變送器 SH2188變送器由壓阻式傳感器和信號轉(zhuǎn)換模塊組成，傳感器的核心部件為單晶硅片，當(dāng)單晶硅片受壓時(shí)，本身的電阻率要發(fā)生變化，通過半導(dǎo)體平面工藝在硅片上擴(kuò)散形成四個(gè)電阻，連接成電橋，在恒定的電流作用下，可輸出與壓力信號成正比的電壓信號，信號轉(zhuǎn)換模塊將傳感器的電壓信號經(jīng)過處理，轉(zhuǎn)換成4～20mA標(biāo)準(zhǔn)信號。
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上海自動(dòng)化儀表一廠SH2188G2EHYMEd防爆擴(kuò)散硅壓力變送器 SH2188變送器由壓阻式傳感器和信號轉(zhuǎn)換模塊組成，傳感器的核心部件為單晶硅片，當(dāng)單晶硅片受壓時(shí)，本身的電阻率要發(fā)生變化，通過半導(dǎo)體平面工藝在硅片上擴(kuò)散形成四個(gè)電阻，連接成電橋，在恒定的電流作用下，可輸出與壓力信號成正比的電壓信號，信號轉(zhuǎn)換模塊將傳感器的電壓信號經(jīng)過處理，轉(zhuǎn)換成4～20mA標(biāo)準(zhǔn)信號。
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